Электроника. 2 изд.БХВ-Петербург, 2008 - 752 стор. Рассмотрены разделы электроники: вакуумная и плазменная электроника, твердотельная электроника, микроэлектроника, квантовая и оптическая электроника, процессы микро- и нанотехнологий, методы исследования материалов и структур, микросхемотехника. В разделы включены исторические справки об этапах становления и развития направления электроники, контрольные вопросы и задачи с решениями. Во втором издании материал перегруппирован, исправлены неточности и добавлены новые разделы: "Твердотельная электроника" и "Методы исследования материалов и структур". |
Зміст
| 3 | |
| 5 | |
| 7 | |
| 9 | |
| 15 | |
| 45 | |
4 Приборы и устройства вакуумной электроники | 98 |
5 Плазменная электроника | 134 |
5 Управление световыми потоками | 394 |
6 Приемники излучения | 407 |
7 Введение в интегральную оптику | 416 |
8 Введение в оптоэлектронику | 424 |
9 Оптические методы обработки информации | 430 |
Заключение | 450 |
ЧАСТЬ V ПРОЦЕССЫ МИКРО И НАНОТЕХНОЛОГИИ | 451 |
Введение | 453 |
6 Приборы и устройства плазменной электроники | 152 |
Заключение | 159 |
ЧАСТЬ II ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА | 161 |
Введение | 163 |
1 Краткая историческая справка | 164 |
2 Физические основы твердотельной электроники | 173 |
3 Полупроводниковые приборы | 197 |
Заключение | 229 |
ЧАСТЬ III МИКРОЭЛЕКТРОНИКА | 231 |
Введение | 233 |
1 Краткая историческая справка | 234 |
2 Интегральные транзисторные структуры | 247 |
3 Элементная база интегральных схем | 285 |
4 Классификация интегральных схем | 301 |
5 БМК и ПЛИС | 316 |
6 Интегральные схемы СВЧдиапазона | 324 |
Заключение | 333 |
ЧАСТЬ IV КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА | 335 |
Введение | 337 |
1 Краткая историческая справка | 338 |
2 Физические основы квантовой электроники | 346 |
3 Принципы работы лазера | 360 |
4 Типы лазеров | 371 |
1 Технологические процессы изготовления ИС | 454 |
2 Процессы нанотехнологий | 508 |
3 Организационнотехнологические основы производства | 534 |
Заключение | 553 |
ЧАСТЬ VI МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР ЭЛЕКТРОНИКИ | 555 |
Введение | 557 |
1 Методы измерения параметров полупроводников | 558 |
2 Исследования химического состава поверхности | 570 |
3 Исследования физической структуры поверхности | 586 |
Заключение | 614 |
ЧАСТЬ VII МИКРОCХЕМОТЕХНИКА | 615 |
Введение | 617 |
1 Логические элементы интегральных схем | 619 |
2 Запоминающие устройства | 645 |
3 Триггеры и устройства на их основе | 660 |
4 Микропроцессоры и микроконтроллеры | 675 |
5 Аналоговая схемотехника | 686 |
6 Преобразователи ЦАП АЦП | 698 |
Заключение | 702 |
ЗАКЛЮЧЕНИЕ | 703 |
ПРИЛОЖЕНИЕ | 704 |
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ | 731 |
Загальні терміни та фрази
анода арсенида галлия атомов базы биполярного транзистора больше вакуумной величина виде высокой выхода газа году давления диодов диффузии диффузионной длин волн других дырок значение зоне проводимости зоны излучения изменения интегральных схем информации ионизации ионов использования используются катода квантовой коллектора конструкции концентрации которых коэффициент кремния кристалла лазеров логических магнитного поля материалов метод микропроцессора микроэлектроники мкм может можно молекул мощности называется нанотехнологии направлении напряжения носителей заряда области образом одного определяется оптических основе параметров первый перехода плазмы пластины плотность поверхности подложки позволяет полевого транзистора полупроводника получить потенциал потока представляет собой приборов примеси проводимости происходит процесс пучка работы различных режиме резистора резонатора рис свойства связи сигнала системы скорость следует слой случае создать соответствии сопротивление состояния температуры технологии технологических типа тока транзистора транзисторных структур триггера уравнение уровень Ферми уровня усилителя условия устройства физик фотонов фоторезиста функции характеристики частиц частоты число элек электрического поля электроники электронов элементов эмиссии эмиттера энергии эффект является