Электроника. 2 изд.

Передня обкладинка
БХВ-Петербург, 2008 - 752 стор.
Рассмотрены разделы электроники: вакуумная и плазменная электроника, твердотельная электроника, микроэлектроника, квантовая и оптическая электроника, процессы микро- и нанотехнологий, методы исследования материалов и структур, микросхемотехника. В разделы включены исторические справки об этапах становления и развития направления электроники, контрольные вопросы и задачи с решениями. Во втором издании материал перегруппирован, исправлены неточности и добавлены новые разделы: "Твердотельная электроника" и "Методы исследования материалов и структур".
 

Відгуки відвідувачів - Написати рецензію

Не знайдено жодних рецензій.

Зміст

5 Управление световыми потоками
394
6 Приемники излучения
407
7 Введение в интегральную оптику
416
8 Введение в оптоэлектронику
424
9 Оптические методы обработки информации
430
Заключение
450
ЧАСТЬ V ПРОЦЕССЫ МИКРО И НАНОТЕХНОЛОГИИ
451
Введение
453

6 Приборы и устройства плазменной электроники
152
Заключение
159
ЧАСТЬ II ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
161
Введение
163
1 Краткая историческая справка
164
2 Физические основы твердотельной электроники
173
3 Полупроводниковые приборы
197
Заключение
229
ЧАСТЬ III МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
231
Введение
233
1 Краткая историческая справка
234
2 Интегральные транзисторные структуры
247
3 Элементная база интегральных схем
285
4 Классификация интегральных схем
301
5 БМК и ПЛИС
316
6 Интегральные схемы СВЧдиапазона
324
Заключение
333
ЧАСТЬ IV КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
335
Введение
337
1 Краткая историческая справка
338
2 Физические основы квантовой электроники
346
3 Принципы работы лазера
360
4 Типы лазеров
371
1 Технологические процессы изготовления ИС
454
2 Процессы нанотехнологий
508
3 Организационнотехнологические основы производства
534
Заключение
553
ЧАСТЬ VI МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР ЭЛЕКТРОНИКИ
555
Введение
557
1 Методы измерения параметров полупроводников
558
2 Исследования химического состава поверхности
570
3 Исследования физической структуры поверхности
586
Заключение
614
ЧАСТЬ VII МИКРОCХЕМОТЕХНИКА
615
Введение
617
1 Логические элементы интегральных схем
619
2 Запоминающие устройства
645
3 Триггеры и устройства на их основе
660
4 Микропроцессоры и микроконтроллеры
675
5 Аналоговая схемотехника
686
6 Преобразователи ЦАП  АЦП
698
Заключение
702
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
703
ПРИЛОЖЕНИЕ
704
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
731
Авторські права

Загальні терміни та фрази

анода арсенида галлия атомов базы биполярного транзистора больше вакуумной величина виде высокой выхода газа году давления диодов диффузии диффузионной длин волн других дырок значение зоне проводимости зоны излучения изменения интегральных схем информации ионизации ионов использования используются катода квантовой коллектора конструкции концентрации которых коэффициент кремния кристалла лазеров логических магнитного поля материалов метод микропроцессора микроэлектроники мкм может можно молекул мощности называется нанотехнологии направлении напряжения носителей заряда области образом одного определяется оптических основе параметров первый перехода плазмы пластины плотность поверхности подложки позволяет полевого транзистора полупроводника получить потенциал потока представляет собой приборов примеси проводимости происходит процесс пучка работы различных режиме резистора резонатора рис свойства связи сигнала системы скорость следует слой случае создать соответствии сопротивление состояния температуры технологии технологических типа тока транзистора транзисторных структур триггера уравнение уровень Ферми уровня усилителя условия устройства физик фотонов фоторезиста функции характеристики частиц частоты число элек электрического поля электроники электронов элементов эмиссии эмиттера энергии эффект является

Бібліографічна інформація