Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие

Передня обкладинка
Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направлений микроэлектроники. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65 и направления 551100, а также студентов родственных специальностей.
 

Відгуки відвідувачів - Написати рецензію

Не знайдено жодних рецензій.

Вибрані сторінки

Зміст

Предисловие
8
Введение
11
Глава 1 Структура и свойства твердых тел
16
Глава 2 Физические основы квантовой механики
46
Глава 3 Элементы статической физики
67
Глава 4 Элементы зонной теории твердых тел
88
Глава 5 Электропроводность твердых тел
113
Глава 6 Равновесные и неравновесные носители заряда
157
Глава 8 Поверхностные явления в полупроводниках
245
Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
269
Глава 10 Перспективы развития микроэлектроники
301
Заключение
336
Приложения
338
Библиографический список
345
Алфавитнопредметный указатель
347
Содержание
354

Глава 7 Контактные явления
187

Загальні терміни та фрази

атомов больше валентной зоны ВАХ величину вид волновой волны выражение генерации график Дайте определение дефекты диода диэлектрик длина донорной другие дырок зависимость зависит запрещенной зоны зоны проводимости излучения имеет инжекции квантовая точка квантовых контакта концентрации носителей которые коэффициент кристалла кристаллической решетки куперовские пары магнитного МДМ-структуре металл микроэлектроники может можно записать называют направлении напряжения необходимо носителей заряда области образом объемного Однако одного ОПЗ определяется основных носителей параметров перехода пленки плотность поверхности поверхностные поглощения подвижность полевых транзисторов полупроводника получим поскольку потенциалов потенциального барьера приборов приводит примеси проводника процесс равна равновесных различных разность рассеяния рекомбинации рис сверхпроводник светодиоды свойства системы скорость слоя случае состояние структуры твердых тел температуры тепловой тока толщина тонких транзисторов туннелирования туннельного уравнения уровня Ферми условиях устройства фононов функции распределения функциональной электроники частиц число Шоттки эВ элек электрического поля электроники электронов электропроводность элементов энергетических энергия электрона эффект эффективной массы является

Бібліографічна інформація