Физические основы микроэлектроники. Учебное пособиеLitres, 17 лют. 2016 р. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направлений микроэлектроники. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65 и направления 551100, а также студентов родственных специальностей. |
Зміст
Предисловие | 8 |
Введение | 11 |
Глава 1 Структура и свойства твердых тел | 16 |
Глава 2 Физические основы квантовой механики | 46 |
Глава 3 Элементы статической физики | 67 |
Глава 4 Элементы зонной теории твердых тел | 88 |
Глава 5 Электропроводность твердых тел | 113 |
Глава 6 Равновесные и неравновесные носители заряда | 157 |
Глава 8 Поверхностные явления в полупроводниках | 245 |
Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах | 269 |
Глава 10 Перспективы развития микроэлектроники | 301 |
Заключение | 336 |
Приложения | 338 |
Библиографический список | 345 |
Алфавитнопредметный указатель | 347 |
| 354 | |
Загальні терміни та фрази
атомов больше валентной зоны ВАХ величину вид волновой волны выражение генерации график Дайте определение дефекты диода диэлектрик длина донорной другие дырок зависимость зависит запрещенной зоны зоны проводимости излучения имеет инжекции квантовая точка квантовых контакта концентрации носителей которые коэффициент кристалла кристаллической решетки куперовские пары магнитного МДМ-структуре металл микроэлектроники может можно записать называют направлении напряжения необходимо носителей заряда области образом объемного Однако одного ОПЗ определяется основных носителей параметров перехода пленки плотность поверхности поверхностные поглощения подвижность полевых транзисторов полупроводника получим поскольку потенциалов потенциального барьера приборов приводит примеси проводника процесс равна равновесных различных разность рассеяния рекомбинации рис сверхпроводник светодиоды свойства системы скорость слоя случае состояние структуры твердых тел температуры тепловой тока толщина тонких транзисторов туннелирования туннельного уравнения уровня Ферми условиях устройства фононов функции распределения функциональной электроники частиц число Шоттки эВ элек электрического поля электроники электронов электропроводность элементов энергетических энергия электрона эффект эффективной массы является